台积电与苹果“对赌”3nm芯片和三星决“生死爱发体育”

　　爱发体育3nm工艺首次应用在顶尖芯片上，而3nm工艺将比5nm工艺的晶体管密度多70%、同等功耗下速度可提升15%，或者同等速度下功耗降低30%爱发体育。

　　根据的资料，其3nm节点可以分为N3B、N3E、N3P、N3X等，这里的N3B也就是N3，而之所以做了这么多拆分，是因为台积电在不同的技术指标上进行了对应的优化。

　　苹果原计划是在A16上导入这一节点爱发体育，换句线首发整整晚了一年。另外爱发体育，一度有消息称苹果英伟达、联发科这些企业，也确实都转向了N3E。

　　半导体制造业的一个基本概念：良率，即一整片加工出来的晶圆上能正常工作的芯片的占比。一块晶圆片上可以同时制造数百颗同样的裸芯片，之后将晶圆片上的裸芯片切割开来，封装后安装到电子产品上。

　　早期影响芯片良率的主要因素之一是空气中的灰尘。当微米尺寸的灰尘落到晶圆表面爱发体育爱发体育，就会让当时微米级别的晶体管发生故障。莫顿认为灰尘是平均分布的，但实际上并非如此。可能有些区域没有灰尘，那里的良率可以达到100%。如果把灰尘颗粒比作射出的箭，将硅晶圆比作靶子，晶体管比作靶心，尺寸越小，被灰尘“击中”的概率越低。由于灰尘可能较大，一次损坏多个晶体管，但它们同属于一颗裸芯片，所以只有这一颗芯片被损坏，其他位置的芯片还是好的。这样芯片的良率不是像莫顿估计的那样接近于零。

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　　提高良率的一个新趋势是采用更小的裸芯片。还是射箭的例子，如果将中10环靶心比作裸芯片，同样的，裸芯片面积越小，被损害的概率也越小，小芯片技术（chiplet）应运而生——将一大块裸芯片拆分成许多小芯片，让每颗小芯片的面积更小，良率提高。然后再将许多小芯片在硅晶圆以及基板上封装在一起，做出一块更大的芯片。

　　英特尔，它手中的Intel 3工艺也是2024年量产，号称可以超过台积电的3nm，而它当年也被台积电“横刀夺爱”。

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