爱发体育格力电器申请UMOSFET专利优化器件的反向恢复性能

　　爱发体育专利摘要显示，本申请提供了一种UMOSFET器件制备方法及器件。方法包括：在预处理后的衬底原料的上表面进行离子注入处理得到嵌入衬底原料的P型基区注入区爱发体育、第一P+注入区和N+注入区；在N型外延层的上表面进行刻蚀处理形成碳化硅沟槽；对碳化硅沟槽进行多晶硅沉积，得到填充碳化硅沟槽的多晶硅栅电极；在第一P+注入区的上表面、N+注入区的上表面和多晶硅栅电极的上表面进行沉积处理得到正面欧姆金属接触区；在N型外延层的不存在正面欧姆金属接触区的上表面进行肖特基金属沉积处理得到肖特基接触区；在预处理后的衬底原料的下表面进行金属化得到背面漏极金属区。由于JBS二极管的P+和N‑结形成的耗尽区接触爱发体育爱发体育爱发体育，优化器件的反向恢复性能爱发体育，延长使用寿命。